电浆蚀刻方法及半导体之制造方法

摘要

提供即使在处理大型玻璃基板之时，对于含有高熔点金属材料之源极、汲极电极，亦可充分取得氮化矽膜之蚀刻选择比的蚀刻方法。其解决手段为藉由使用包含CF4和O2之处理气体而执行电浆蚀刻处理，贯通钝化膜108和闸即绝缘膜103，并一次形成到达闸极电极102之孔111，和贯通钝化膜108而到达汲极电极107之孔112。闸极绝缘膜103相对于汲极电极107表面之Mo层107c是以高蚀刻选择比被蚀刻。