电容制造方法

摘要

一种电容制造方法，其包括如下步骤：提供一基板，依次沈积一第一金属层、一绝缘层及一第一光阻层；提供一第一光罩，其包括复数半透光区，利用该第一光罩对该第一光阻层曝光，并显影该第一光阻层，藉由控制该半透光区之透光率，形成厚度不同之第一光阻图案；蚀刻该第一光阻图案及部份绝缘层，形成厚度不同之绝缘层；依次沈积一第二金属层及一第二光阻层于该剩余绝缘层上；利用一第二光罩对该第二光阻层进行曝光，并显影该第二光阻层，形成第二光阻图案；蚀刻未被该第二光阻图案覆盖之部份第二金属层；去除该第二光阻图案。