半导体记忆元件、相变化记忆元件及其制造方法

摘要

一种相变化记忆元件，包括基底、下电极、第一、第二、第三介电层、杯状加热电极、上电极以及相变化材料间隙壁。其中，下电极形成于基底内。第一介电层位于基底上，且其中有与下电极相接触的杯状加热电极。条状的第二与第三介电层分别以不同方向排列于基底上，其中每一第二与第三介电层覆盖杯状加热电极所围的部份面积，且第三介电层叠于第二介电层上。而上电极是位于第三介电层上，其中由每一第三介电层与其上的上电极组成一条堆叠结构。相变化材料间隙壁则是位于上述堆叠结构的侧壁，并与杯状加热电极及上电极呈物理及电性接触。