使用薄膜形成装置之方法

摘要

本发明揭示一种将一薄膜形成装置用于一半导体制程之方法，于该方法中，决定一薄膜形成制程之制程条件。该等制程条件包括一欲形成于一目标基板上之薄膜之预置薄膜厚度。此外，根据该等制程条件决定实施一清洁制程之定时。该定时系由一关于该薄膜之一累积薄膜厚度之临限值所界定。若该薄膜形成制程重复N次(N系一正整数)，则该累积薄膜厚度不会超出该临限值，但若该薄膜形成制程重复N+1次，则其超出该临限值。该方法包括连续实施各自由该薄膜形成制程构成之第一至第N个制程，且在由该薄膜形成制程构成之该第N个制程后及一第(N+1)制程前实施清洗制程。