用于形成具有鳍状结构的半导体元件的方法

摘要

一种用于形成一具有一鳍状结构的半导体元件的方法系包含(a)在一矽基板之上形成一元件隔离膜，以界定一主动区域，(b)蚀刻形成闸极的区域的矽基板以形成一沟槽，(c)选择性地蚀刻一沟槽边界的元件隔离膜，(d)在该所产生的结构的整个表面之上形成一闸极氧化膜，(e)在该所产生的结构的整个表面之上沉积一电极材料以形成一闸极电极，以及(f)在该闸极电极的一侧壁之上形成一闸极间隙壁。