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凸块形成方法
摘要
一种凸块形成方法,用以形成一凸块于一晶片上。晶片具有一焊垫及一凸块下金属层,凸块下金属层系位于焊垫上方。首先,形成一图案化高分子材料层于晶片上。图案化高分子材料层具有一开口,开口暴露出凸块下金属层。接着,填充一焊料于开口中,焊料包含数个金属颗粒及一有机物质。然后,以一低于金属颗粒之熔点的预烤温度预烤焊料一预烤时间,以去除焊料中大部分之有机物质。接着,回焊焊料以形成凸块。
申请公布号
TW200725845
申请公布日期
2007.07.01
申请号
TW094145953
申请日期
2005.12.22
申请人
日月光半导体制造股份有限公司
发明人
刘良齐;叶清昆;萧献赋;黄俊杰;黄子维
分类号
H01L23/48(2006.01);H01L21/60(2006.01)
主分类号
H01L23/48(2006.01)
代理机构
代理人
林素华
主权项
地址
高雄市楠梓加工区经三路26号
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