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发明名称
半导体结构、电熔线与其形成方法
摘要
本发明提供一种电熔线及其形成方法,该电熔线包括一介电层在一浅沟槽隔绝区上,以及一接触栓塞由该介电层表面延伸至该浅沟槽隔绝区,其中该接触栓塞包括一中间区,该中间区实质上比两个末端区狭窄。该接触栓塞形成一熔线元件,该电熔线更包括两个金属线在该介电层之上,其中两个金属线分别连接至该接触栓塞不同的末端区。
申请公布号
TW200725864
申请公布日期
2007.07.01
申请号
TW095122933
申请日期
2006.06.26
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
陈学忠;蔡豪益;陈宪伟;郑心圃;侯上勇
分类号
H01L23/52(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L21/768(2006.01)
主分类号
H01L23/52(2006.01)
代理机构
代理人
洪澄文;颜锦顺
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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