发明名称 | 一种场发射阴极之制备方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种场发射阴极之制备方法,该方法包括下列步骤:提供一基板,于该基板上沈积一金属层;对金属层表面进行氧化处理,形成一具有复数凹槽之金属氧化物层;去除复数凹槽底部之金属氧化物;藉由电泳沈积方式于凹槽底部沈积奈米碳管。 | ||
申请公布号 | TW200725678 | 申请公布日期 | 2007.07.01 |
申请号 | TW094146268 | 申请日期 | 2005.12.23 |
申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 董才士 |
分类号 | H01J1/304(2006.01);H01J37/073(2006.01) | 主分类号 | H01J1/304(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 台北县土城市自由街2号 |