发明名称 一种场发射阴极之制备方法
摘要 本发明涉及一种场发射阴极之制备方法,该方法包括下列步骤:提供一基板,于该基板上沈积一金属层;对金属层表面进行氧化处理,形成一具有复数凹槽之金属氧化物层;去除复数凹槽底部之金属氧化物;藉由电泳沈积方式于凹槽底部沈积奈米碳管。
申请公布号 TW200725678 申请公布日期 2007.07.01
申请号 TW094146268 申请日期 2005.12.23
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 发明人 董才士
分类号 H01J1/304(2006.01);H01J37/073(2006.01) 主分类号 H01J1/304(2006.01)
代理机构 代理人
主权项
地址 台北县土城市自由街2号