发明名称 以浆料清洗蚀刻容室之装置及方法
摘要 本发明描述清洗来自半导体蚀刻容室或容室组件之残余物之方法,其中一种方法包含将雾化研磨浆料引导至该容室或该等容室组件之至少某些内表面上。本发明亦描述用于进行该等方法之装置。
申请公布号 TW200725733 申请公布日期 2007.07.01
申请号 TW095141986 申请日期 2006.11.14
申请人 BOC集团公司 发明人 伊恩 马丁 戴维斯;大卫P 劳柏
分类号 H01L21/3065(2006.01);C23F4/00(2006.01);C11D17/06(2006.01) 主分类号 H01L21/3065(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国