| 发明名称 |
具有超晶格结构之太阳电池及其制造方法 |
| 摘要 |
一种具有超晶格结构之太阳电池及其制造方法，包括在三接面太阳电池中之中间电池的基射极间，利用应力补偿技术，制作氮化镓砷/砷化镓铟超晶格结构、氮化镓砷/砷化镓锑超晶格结构或氮化镓砷/砷化镓铟锑超晶格结构；本发明除了可以减少材料的结晶缺陷并增加其临界厚度，更将氮化镓砷和砷化镓铟两种材料之能隙向下推展至1.0eV(电子伏特)附近，以提高1.0eV附近之吸光区域，而达到提高太阳电池效率的目的。 |
| 申请公布号 |
TW200725919 |
申请公布日期 |
2007.07.01 |
| 申请号 |
TW094147747 |
申请日期 |
2005.12.30 |
| 申请人 |
财团法人工业技术研究院;行政院原子能委员会 核能研究所 ATOMIC ENERGY COUNCIL - INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY 桃园县龙潭乡文化路1000号 |
发明人 |
邱志鸿;吴佩璇;陈尚甫;陈奕良;许荣宗;曾衍彰;吴志宏 |
| 分类号 |
H01L31/0352(2006.01);H01L31/075(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/0352(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
许世正 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹县竹东镇中兴路4段195号 |
