| 主权项 |
1.一种热处理基板之装置,该基板尤指半导体晶圆, 此装置 -至少包含用来加热基板之第一辐射源, -至少一介于第一辐射源与基板之间之透明隔绝体 ,以减少第一辐射源辐射缘之预定波长范围, -至少一用来加热基板之第二辐射源,其至少在基 板上放射出在预定波长范围内之辐射线, -至少一装设于第二辐射源之同一侧且朝向基板之 辐射测量器,其可在预定波长范围内测量由基板放 射之辐射线强度, -一可调整至少由第二辐射源所放射之辐射线之装 置,以及 -一可调控第二辐射源所放射之辐射线强度之装置 。 2.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为, 第一及第二辐射源乃装设在基板两侧彼此相对之 位置上。 3.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为, 有一用于调节第一辐射源之装置。 4.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为, 有一用于控制第二辐射源之装置。 5.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为, 辐射源为加热灯。 6.根据申请专利范围第5项所述之装置,其特征为, 透明隔绝体之功能乃透过加热灯之灯泡来完成。 7.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为, 透明隔绝体为一介于第一辐射源与基板之间之处 理室壁墙。 8.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为, 透明隔绝体包含至少一滤光层,用于吸收一预定波 长。 9.根据申请专利范围第8项所述之装置,其特征为, 滤光层在空间上与另一透明材质分开装设。 10.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为, 透明隔绝体含有充满氢氧元素之石英玻璃。 11.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为, 透明隔绝体会吸收介于2.7m至2.8m之波长。 12.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为, 有一用于冷却透明隔绝体之装置。 13.根据申请专利范围第12项所述之装置,其特征为, 冷却装置包含一冷却气体或一冷却流体。 14.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为, 辐射测量器为一高温计。 15.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为, 基板为一经镀层处理之半导体晶圆。 16.根据申请专利范围第15项所述之装置,其特征为, 镀层为一由CO及/或Ti组成之镀层。 17.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为, 基板之穿透率小于0.15。 18.根据申请专利范围第1项所述之装置,其特征为, 有一朝向基板之第二辐射测量器。 19.根据申请专利范围第18项所述之装置,其特征为, 第二辐射测量器乃用于测量预定波长外之辐射线 。 20.根据申请专利范围第19项所述之装置,其特征为, 此第二辐射测量器乃用于测量低于或高于预定波 长之辐射线。 21.根据申请专利范围第18项所述之装置,其特征为, 第二辐射测量器乃朝向与第二辐射源相反之基板 面,并测量预定波长之辐射线。 22.一种热处理基板之方法,该基板尤指半导体晶圆 ,其包含下列程序步骤: -以至少用来加热基板之第一辐射线来照射基板, 其至少由第一辐射源放射出, -在介于第一辐射源与基板之间吸收第一辐射线之 预定波长范围, -以至少用来加热基板之第二辐射缘来照射基板, 其至少由第二辐射源放射出,并且在预定波长范围 内包含辐射线,其照射在基板上, -以一辐射测量器来测量由基板所放射之在预定波 长范围内之辐射线,该辐射测量器乃装设在与第二 辐射源同一侧, -调整由第二辐射源所放射之第二辐射线, -测量由第二辐射源所放射之第二辐射线。 23.根据申请专利范围第22项所述之方法,其特征为, 第一及第二辐射线乃分别朝向基板两侧彼此相对 之位置。 24.根据申请专利范围第22项所述之方法,其特征为, 第一辐射源系可调节。 25.根据申请专利范围第22项所述之方法,其特征为, 第二辐射线系可控制。 26.根据申请专利范围第22项所述之方法,其特征为, 辐射线乃透过加热灯产生。 27.根据申请专利范围第26项所述之方法,其特征为, 第一辐射线之预定波长会被第一加热灯之灯泡所 吸收。 28.根据申请专利范围第22项所述之方法,其特征为, 第一辐射线之预定波长会被介于第一辐射源与基 板之间之处理室壁墙所吸收。 29.根据申请专利范围第22项所述之方法,其特征为, 第一辐射线之波长会被介于2.7m至2.8m之辐射 缘吸收。 30.根据申请专利范围第22项所述之方法,其特征为, 对吸收预定波长之元件进行冷却。 31.根据申请专利范围第30项所述之方法,其特征为, 该元件乃以一冷却气体或一冷却流体进行冷却。 32.根据申请专利范围第22项所述之方法,其特征为, 以高温计测量基板所放射之辐射线。 33.根据申请专利范围第22项所述之方法,其特征为, 以另一辐射测量器测量基板所放射之辐射线。 34.根据申请专利范围第33项所述之方法,其特征为, 以另一辐射测量器测量预定波长外之辐射线。 35.根据申请专利范围第33项所述之方法,其特征为, 以另一辐射测量器测量低于或高于预定波长之辐 射线。 36.根据申请专利范围第33项所述之方法,其特征为, 另一辐射测量器乃朝向与第二辐射源相反之基板 面,且用于测量预定波长之辐射线。 图式简单说明: 图一 根据本发明之第一实施例所示之快速加热装 置之示意剖面图; 图二 根据本发明之第二实施例所示之快速加热装 置之示意剖面图; 图三 某特定晶圆之穿透率及反射率关系之图示说 明; 图四 经钴镀层处理之晶圆热处理之温度曲线图; 图五 根据本发明之实施例之调控测量范围所进行 之穿透率测量之图示说明。 |
