| 主权项 |
1.一种改良分区内之微影对准的方法,其系包含: 在一基板上图样化一第一层,其中该第一层包含一 阵列之第一层几何图形,其中将各个第一层几何图 形排列成在各自的分区内,且其中各个第一层几何 图形包含至少一第一层特征;以及 在该第一层上图样化一第二层,其中该第二层包含 一阵列之第二层几何图形,其中将各个第二层几何 图形排列成在各自的分区内,其中各个第二层几何 图形包含至少一第二层特征,其中至少一第二层特 征具有至少一对应第一层特征,其中至少一第二层 几何图形具有一对应第一层几何图形,且其中刻意 使至少一第二层几何图形与其对应的第一层几何 图形有偏移量。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中刻意使至少2 个第二层几何图形与其对应的第一层几何图形有 偏移量,且其中该等偏移量为不等。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中将该阵列之第 一层几何图形排列成一第一层几何图形的中心点 与下一个的中心点的间隔距离为x,且其中将该阵 列之第二层几何图形排列成一第一层几何图形的 中心点与下一个的中心点的间隔距离为y,其中x不 等于y。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中不刻意使至少 一第二层几何图形与其对应的第一层几何图形有 偏移量。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该在一基板上 图样化一第一层的步骤系包含压印一第二层,且其 中该压印一第二层的步骤系包含由一第二层模板 转印一阵列化浮雕图像,且其中该第二层模板包含 至少一在其各自的分区内刻意有偏移量的第二层 几何图形。 6.一种改良在一分区内随后压印的元件层之间的 对准的方法,该方法包含以下步骤: a)建立一x,y方格座标系统藉此使经配置于一中央 区内之一分区的中央点的(x,y)座标为(0,0); b)建立一阵列,其系包含排列成J横列与K直行内的N 个分区,其中各直行的宽度为`w',且其中各横列的 高度为`h',且其中将一元件整个配置于一单一分区 内; c)压印一第一层,其中该第一层包含N个第一层几何 图形之一阵列,其中中央第一层几何图形的中央点 的(x,y)座标为(0,0),其中各个第一层几何图形的中 央点与其各自的分区匹配,其中第一层几何图形的 中央点与横向紧邻之第一层几何图形的中央点的 间隔距离为`w',且其中第一层几何图形的中央点与 纵向紧邻之第一层几何图形的中央点的间隔距离 为`h';以及 d)压印一第二层,在此该第二层包含N个第二层几何 图形之一阵列,其中各个第二层几何图形具有一对 应第一层几何图形,其中中央第二层几何图形的中 央点的(x,y)座标为(0,0),其中第二层几何图形的中 央点与横向紧邻之第二层几何图形的中央点的间 隔距离为`w+w',且其中第二层几何图形的中央点 与纵向紧邻之第一层几何图形的中央点的间隔距 离为`h+h',其中w不等于零,且其中h不等于零 。 7.一种提供改良微影对准的微影模板组,其包含: 一第一模板,其中该第一模板包含一阵列之第一几 何图形;以及 一第二模板,其中该第二模板包含一阵列之第二几 何图形,其中各个第二几何图形具有一对应的第一 几何图形,且其中刻意使至少一第二几何图形与其 对应的第一几何图形有偏移量。 8.如申请专利范围第7项中之微影模板组,其中各个 第一几何图形具有一第一中央点,其系经配置成与 横向紧邻或纵向紧邻之第一几何图形有第一间隔 距离,其中各个第二几何图形具有一第二中央点, 其系经配置成与横向紧邻或纵向紧邻之第二几何 图形有第二间隔距离,且其中该第一间隔距离不等 于该第二间隔距离。 9.一种形成一组微影模板的方法,其包含: 指定一模板至各个微影层; 界定各个模板印使用的分区之一阵列使得各个模 板分区在一紧邻微影层模板具有至少一对应的模 板分区; 界定一用于各个模板的模板图样,其中各个模板图 样包含数个模板特征,其中将一模板图样配置于一 单一分区内,且其中各个模板的模板图样系对应至 至少一个其他模板的至少一模板图样;以及 配置该等模板图样于彼等各自的分区内使得至少 一模板上的至少一模板特征与其毗邻模板上的对 应模板特征有偏移量。 10.一种产生改良微影对准的系统,该系统包含: 一微影机器,其中该微影机器系经设计成可聚合一 配置于一基板上的可聚合材料; 一第一微影装置,其中该微影装置使得该微影机器 可选择性聚合一可聚合材料以形成数个第一特征; 以及 一第二微影装置,其中该微影装置使得该微影机器 可选择性聚合一可聚合材料以形成数个第二特征, 且其中将该第二微影装置被构形成刻意使该等第 二特征中之至少一个与其对应的第一特征有偏移 量。 图式简单说明: 第1图为晶圆基板之平面图,其系图示晶圆区以及 由该晶圆区构成的印刷区。 第2图为具有多个分区的印刷区之平面图。 第3图为有第一与第二层几何图形压印于其上的印 刷区之平面图。 第4图为加上x、y轴的第4图印刷区之平面图。 第5图为第5图之详细视图。 |
