| 主权项 |
1.一种包含浸渍曝光制程之光阻图型之形成方法 所使用之光阻组成物,其特征为含有基于酸之作用 使硷可溶性产生变化之树脂成份(A),与经由曝光而 产生酸之酸产生剂成份(B),与由2-庚酮与乳酸乙酯 所成群中所选出之至少1种溶剂(c1)为主成份之有 机溶剂(C), 前述树脂成份(A)为含有20莫耳%以上(-低级烷基) 丙烯酸酯所衍生之结构单位,前述(-低级烷基)丙 烯酸酯为丙烯酸酯与-低级烷基丙烯酸酯中之一 者或二者,且前述-低级烷基系指碳原子数1至5之 烷基, 前述酸产生剂成份(B)之含量相对于前述树脂成份( A)100质量份,为0.5至30质量份, 前述有机溶剂(c)中,前述溶剂(c1)所占之比例为50至 100质量%。 2.如申请专利范围第1项之光阻组成物,其中,前述 树脂成份(A)为包含具酸解离性溶解抑制基之(- 低级烷基)丙烯酸酯所衍生之结构单位(a1)。 3.如申请专利范围第2项之光阻组成物,其中,前述 树脂成份(A)尚包含具有含内酯之单环或多环式基 之(-低级烷基)丙烯酸酯所衍生之结构单位(a2)。 4.如申请专利范围第2项之光阻组成物,其中,前述 树脂成份(A)尚包含具有含极性基之脂肪族烃基之( -低级烷基)丙烯酸酯所衍生之结构单位(a3)。 5.如申请专利范围第3项之光阻组成物,其中,前述 树脂成份(A)尚包含具有含极性基之脂肪族烃基之( -低级烷基)丙烯酸酯所衍生之结构单位(a3)。 6.如申请专利范围第1项之光阻组成物,其尚含有含 氮有机化合物(D)。 7.一种光阻图型之形成方法,其为使用申请专利范 围第1至6项中任一项之光阻组成物之光阻图型之 形成方法,其特征为包含浸渍曝光制程。 |
