| 主权项 |
1.一种电路元件之制造方法,系使用具备:载台,及 具有对面于前述载台之喷嘴的喷头之吐出装置的 电路元件之制造方法,其特征为包含: 以半导体元件的金属垫朝向前述喷头侧的方式,将 前述半导体元件设定于前述载台上之步骤A, 使前述喷头对前述半导体元件的相对位置改变的 步骤B, 在前述喷嘴到达对应于前述金属垫的位置的场合, 以对前述金属垫供应导电性材料的方式由前述喷 嘴吐出液状的前述导电性材料的步骤C,及 以在前述金属垫上可得UBM层的方式使前述被供应 的导电性材料活化或者乾燥的步骤D。 2.如申请专利范围第1项之电路元件之制造方法,其 中 前述步骤C,包含以在前述金属垫上供应第1导电性 材料的方式由第1喷嘴吐出液状的前述第1导电性 材料的步骤, 前述步骤D,包含以在前述金属垫上可得第1金属层 的方式使前述被供应的第1导电性材料活化或者乾 燥的步骤。 3.如申请专利范围第2项之电路元件之制造方法,其 中 前述步骤C,进而包含以在前述第1金属层上供应第2 导电性材料的方式由第2喷嘴吐出液状的前述第2 导电性材料的步骤, 前述步骤D,进而包含以在前述第1金属层上可得第2 金属层的方式使前述被供应的第2导电性材料活化 或者乾燥的步骤。 4.如申请专利范围第3项之电路元件之制造方法,其 中 前述步骤C,进而包含以在前述第2金属层上供应第3 导电性材料的方式由第3喷嘴吐出液状的前述第3 导电性材料的步骤, 前述步骤D,进而包含以在前述第2金属层上可得第3 金属层的方式使前述被供应的第3导电性材料活化 或者乾燥的步骤。 5.如申请专利范围第4项之电路元件之制造方法,其 中 前述第1导电性材料包含钛微粒子, 前述第2导电性材料包含镍微粒子, 前述第3导电性材料包含金微粒子, 6.如申请专利范围第1、2、3、4或5项之电路元件之 制造方法,其中进而包含: 于前述UBM层上形成焊锡凸块(bump)的步骤E, 回流(reflow)前述焊锡凸块的步骤F。 7.一种电路基板,其特征系利用申请专利范围第1、 2、3、4、5或6项之电路元件之制造方法所制造之 电路基板。 8.一种电子机器,其特征系利用申请专利范围第1、 2、3、4、5或6项之电路元件之制造方法所制造之 电子机器。 9.一种光电装置,其特征系利用申请专利范围第1、 2、3、4、5或6项之电路元件之制造方法所制造之 光电装置。 10.一种电子元件之制造方法,系使用具备:载台,及 具有对面于前述载台之喷嘴的喷头之吐出装置的 电子元件之制造方法,其特征为包含: 以基板的导电端子朝向前述喷头侧的方式,将前述 基板设定于前述载台上之步骤A, 使前述喷头对前述基板的相对位置改变的步骤B, 在前述喷嘴到达对应于前述导电端子的位置的场 合,以对前述导电端子供应导电性材料的方式由前 述喷嘴吐出液状的前述导电性材料的步骤C,及 以在前述导电端子上可得UBM层的方式使前述被供 应的导电性材料活化或者乾燥的步骤D。 图式简单说明: 图1(a)系显示半导体晶片之平面图,(b)系半导体晶 圆之模式图。 图2系本实施型态之制造装置之模式图。 图3系吐出装置之模式图。 图4(a)及(b)系吐出装置之喷头之图。 图5(a)至(c)系显示设UBM层之方法。 图6(a)至(c)系显示设UBM层之方法。 图7(a)及(b)系显示设UBM层之方法。 图8(a)至(d)系显示形成焊锡凸块之方法。 图9(a)及(b)系显示将半导体晶片实装于配线基板之 方法。 图10系藉由本实施型态之制造方法所制造之液晶 显示装置之模式图。 图11系藉由本实施型态之制造方法所制造之液晶 显示装置之模式图。 图12系藉由本实施型态之制造方法所制造之行动 电话之模式图。 图13系藉由本实施型态之制造方法所制造之个人 电脑之模式图。 |
