发明名称 光阻图案形成方法及半导体装置之制造方法
摘要 本发明之一种态样之光阻图案形成方法系使用于以液体充满光阻膜与物镜间之状态下进行曝光之浸液曝光装置形成光阻图案之方法,包含于被处理基板上形成被加工膜,于形成有上述被加工膜之被处理基板上形成光阻膜,于上述光阻膜上形成对于上述液体不溶之光阻保护膜,以及形成上述光阻保护膜后使上述光阻膜曝光。
申请公布号 TWI283430 申请公布日期 2007.07.01
申请号 TW093128728 申请日期 2004.09.22
申请人 东芝股份有限公司 发明人 盐原英志
分类号 H01L21/00(2006.01);G03F7/20(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种光阻图案形成方法,其系使用于以液体充满 光阻膜与物镜间之状态下进行曝光之浸液曝光装 置形成光阻图案者,且包含: 于被处理基板上形成被加工膜; 于形成有上述被加工膜之被处理基板上形成光阻 膜; 于上述光阻膜上形成光阻保护膜;及 形成上述光阻保护膜后使上述光阻膜曝光。 2.如请求项1之光阻图案形成方法,其中上述光阻保 护膜包含水溶性无机膜。 3.如请求项1之光阻图案形成方法,其中上述光阻保 护膜之形成,系包含对于上述液体使上述光阻保护 膜不溶化。 4.如请求项3之光阻图案形成方法,其中上述不溶化 系将上述光阻保护膜进行加热处理。 5.如请求项3之光阻图案形成方法,其中上述不溶化 系照射紫外光或电子束于上述光阻保护膜。 6.如请求项1之光阻图案形成方法,其中包含于上述 光阻膜之曝光后且上述光阻膜之显像前,除去上述 光阻保护膜。 7.一种光阻图案形成方法,其系使用于以液体充满 光阻膜与物镜间之状态下进行曝光之浸液曝光装 置形成光阻图案者,且包含: 于被处理基板上形成被加工膜; 于形成有上述被加工膜之被处理基板上形成光阻 膜; 使上述液体所接触之上述光阻膜表面成为亲水性; 及 使上述光阻膜表面成为亲水性后,使上述光阻膜曝 光。 8.如请求项7之光阻图案形成方法,其中使上述光阻 膜之表面成为亲水性,系将上述光阻膜之表面暴露 于氧化性溶液中。 9.如请求项7之光阻图案形成方法,其中使上述光阻 膜之表面成为亲水性,系将上述光阻膜之表面暴露 于氧化性气氛中。 10.一种光阻图案形成方法,其系使用于以液体充满 光阻膜与物镜间之状态下进行曝光之浸液曝光装 置形成光阻图案者,且包含: 于被处理基板上形成被加工膜; 于形成有上述被加工膜之被处理基板上形成光阻 膜; 于上述光阻膜上形成光阻保护膜; 使上述液体所接触之上述光阻保护膜表面成为亲 水性;及 使上述光阻保护膜之表面成为亲水性后,使上述光 阻膜曝光。 11.如请求项10之光阻图案形成方法,其中上述光阻 保护膜包含水溶性无机膜。 12.如请求项10之光阻图案形成方法,其中上述光阻 保护膜之形成包含对于上述液体使上述光阻保护 膜不溶化。 13.如请求项12之光阻图案形成方法,其中上述不溶 化系将上述光阻保护膜进行加热处理。 14.如请求项12之光阻图案形成方法,其中上述不溶 化系照射紫外光或电子束于上述光阻保护膜。 15.如请求项10之光阻图案形成方法,其中包含于上 述光阻膜之曝光后且上述光阻膜之显像前,除去上 述光阻保护膜。 16.如请求项10之光阻图案形成方法,其中使上述光 阻保护膜之表面成为亲水性系将上述光阻膜之表 面暴露于氧化性溶液中。 17.如请求项10之光阻图案形成方法,其中使上述光 阻保护膜之表面成为亲水性系将上述光阻膜之表 面暴露于氧化性气氛中。 18.一种半导体装置之制造方法,其系使用于以液体 充满光阻膜与物镜间之状态下进行曝光之浸液曝 光装置制造半导体装置者,且包含: 于半导体基板上形成被加工膜; 于形成有上述被加工膜之半导体基板上形成光阻 膜; 于上述光阻膜上形成光阻保护膜;及 于形成上述光阻保护膜后使上述光阻膜曝光。 19.一种半导体装置之制造方法,其系使用于以液体 充满光阻膜与物镜间之状态下进行曝光之浸液曝 光装置制造半导体装置者,且包含: 于半导体基板上形成被加工膜; 于形成有上述被加工膜之半导体基板上形成光阻 膜; 使上述液体所接触之上述光阻膜之表面成为亲水 性;及 使上述光阻膜之表面成为亲水性后,使上述光阻膜 曝光。 20.一种半导体装置之制造方法,其系使用于以液体 充满光阻膜与物镜间之状态下进行曝光之浸液曝 光装置制造半导体装置者,且包含: 于半导体基板上形成被加工膜; 于形成有上述被加工膜之半导体基板上形成光阻 膜; 于上述光阻膜上形成光阻保护膜; 使上述液体所接触之上述光阻保护膜之表面成为 亲水性;及 使上述光阻保护膜之表面成为亲水性后,使上述光 阻膜曝光。 图式简单说明: 图1系表示实施第1实施形态之光阻图案形成方法 之装置构造的图。 图2A-图2D系表示第1实施形态之光阻图案形成方法 之处理流程的图。 图3A-图3D系表示第1实施形态之光阻图案形成方法 之处理流程的图。 图4A及图4B系表示第1实施形态以及先前例之光阻 图案形状的图。 图5系表示实施第2实施形态之光阻图案形成方法 之装置构造的图。 图6A-图6D系表示第2实施形态之光阻图案形成方法 之处理流程的图。 图7A-图7C系表示第2实施形态之光阻图案形成方法 之处理流程的图。 图8A-图8D系表示第3实施形态之光阻图案形成方法 之处理流程的图。 图9A-图9C系表示第3实施形态之光阻图案形成方法 之处理流程的图。 图10A-图10D系表示第4实施形态之光阻图案形成方 法之处理流程的图。 图11A-图11C系表示第4实施形态之光阻图案形成方 法之处理流程的图。 图12A-图12D系表示第5实施形态之光阻图案形成方 法之处理流程的图。 图13A-图13E系表示第5实施形态之光阻图案形成方 法之处理流程的图。 图14A-图14D系表示第6实施形态之光阻图案形成方 法之处理流程的图。 图15A-图15E系表示第6实施形态之光阻图案形成方 法之处理流程的图。 图16A-图16D系表示第7实施形态之光阻图案形成方 法之处理流程的图。 图17A-图17E系表示第7实施形态之光阻图案形成方 法之处理流程的图。
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