发明名称 积层陶瓷电容器
摘要 本发明目的在于提供一种即使是在使介电体层薄型化、实现高容量的情况下,内部电极与介电体层也不容易发生剥离的积层陶瓷电容器。本发明的电容器(10)(积层陶瓷电容器)设置有由内部电极(12)(电极)与介电体层(14)所交互积层的电容器原料体(11)、及在其端面设置的外部电极(15)。介电体层(14)包含介电材料的粒子,且具有在其厚度方向上仅由一个该粒子所构成的部位。而且,在内部电极(12)与介电体层(14)之间,分散存在有包含选自Si、Li、及B中的至少一种元素的区域(24)。
申请公布号 TWI283419 申请公布日期 2007.07.01
申请号 TW094125866 申请日期 2005.07.29
申请人 TDK股份有限公司 发明人 岩永大介
分类号 H01G4/30(2006.01);H01G4/12(2006.01);C04B35/46(2006.01) 主分类号 H01G4/30(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种积层陶瓷电容器,其特征在于:包括 一对电极;和 配置于上述一对电极之间、包含含有陶瓷材料的 介电材料的介电体层, 上述介电体层包含上述介电材料的粒子,且具有在 其厚度方向上仅由一个该粒子所构成的部位, 在上述电极与上述介电体层之间,分散存在有包含 选自由Si、Li及B所成群的至少一种元素的区域。 2.如请求项1之积层陶瓷电容器,其中 上述区域由上述内部电极及2个以上的上述粒子所 包围。 3.如请求项1或2之积层陶瓷电容器,其中: 上述区域主要包含Si。 4.如请求项3之积层陶瓷电容器,其中: 上述陶瓷材料系以Ba及Ti为主要成分的复合氧化物 。 5.一种积层陶瓷电容器,其特征在于:包括 一对电极;和 配置于上述一对电极之间、包含含有陶瓷材料的 介电材料的介电体层, 上述介电体层包含上述介电材料的粒子,且具有在 其厚度方向上仅由该一个粒子所构成的部位, 在上述电极与上述介电体层之间,分散存在有包含 选自由Si、Li、及B所成群的至少一种元素的第一 区域, 在上述介电体层内,分散存在有包含选自由Si、Li 、及B所成群的至少一种元素的第二区域, 上述第一区域比上述第二区域更多处分散存在。 6.如请求项5之积层陶瓷电容器,其中: 上述第一区域由上述内部电极及2个以上的上述粒 子所包围,且上述第二区域仅由3个以上的上述粒 子所包围。 7.如请求项5或6之积层陶瓷电容器,其中: 上述第一区域及第二区域主要含有Si。 8.如请求项1、2、5、6中任一项之积层陶瓷电容器, 其中: 上述陶瓷材料系以Ba及Ti为主要成分的复合氧化物 。 9.如请求项7之积层陶瓷电容器,其中: 上述陶瓷材料系以Ba及Ti为主要成分的复合氧化物 。 图式简单说明: 图1是表示实施方式的积层陶瓷电容器的结构模式 图。 图2是表示图1所示的积层陶瓷电容器的内部电极 与介电体层的介面附近结构的放大模式图。 图3表示内部电极与介电体层的介面附近结构的透 射电子显微镜照片的图。
地址 日本
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