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1.一种含有界面活性剂及氢氧化四甲铵的水性光 阻显影剂组成物,其改进之处包含一具有下列化学 式结构的N,N-二烷基化合物被当作该界面活性剂 : 其中R1和R2个别地是C1到C6烷基或环烷基且R1和R2中 碳数的总数是6到12。 2.如申请专利范围第1项的显影剂组成物,其中该N,N -二烷基的水性溶液展现在23℃的浓度≦5重量% 水中的动态表面张力低于45达因/公分以及依照最 大泡沫压力方法的1泡沫/每秒。 3.如申请专利范围第1项的显影剂组成物,其中R1和R 2中碳数的总数是8到10。 4.如申请专利范围第1项的显影剂组成物,其中该 是N,N-二丁基。 5.如申请专利范围第1项的显影剂组成物,其中该 是N,N-二戊基。 6.如申请专利范围第1项的显影剂组成物,其中该 是N,N-二己基。 7.如申请专利范围第2项的显影剂组成物,其中测量 是在20泡沫/每秒进行。 8.一种被曝露于照射之后的光阻的显影方法,其包 含将一含有表面张力降低有效量的界面活性剂的 水性显影剂组成物施用予光阻表面,其改进之处包 含一具有下列化学式结构的N,N-二烷基化合物被 当作该界面活性剂: 其中R1和R2个别地是C1到C6烷基或环烷基且R1和R2中 碳数的总数是6到12。 9.如申请专利范围第8项的方法,其中R1和R2'中碳数 的总数是8到10。 10.如申请专利范围第8项的方法,其中该是N,N-二 丁基。 11.如申请专利范围第8项的方法,其中该是N,N-二 戊基。 12.如申请专利范围第8项的方法,其中该是N,N-二 己基。 13.如申请专利范围第8项的方法,其中该显影剂溶 液含有氢氧化四甲铵。 14.如申请专利范围第9项的方法,其中该显影剂溶 液含有氢氧化四甲铵。 15.如申请专利范围第10项的方法,其中该显影剂溶 液含有氢氧化四甲铵。 16.一种水性电子清洁组成物,包含于水中的下列成 分: 0.1到3重量%氢氧化四甲铵, 0到4重量%酚系化合物;及 10到10,000 ppm N,N-二烷基; 其中该N,N-二烷基化合物具有下列化学式结构 其中R1和R2个别地是Cl到C6烷基或环烷基且R1和R2中 碳数的总数是6到12。 17.如申请专利范围第16项的水性电子清洁组成物, 其中该是N,N-二戊基。 |
