| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung stellt ein chemisch-mechanisches Verbundpolierkissen zum Polieren eines Halbleitersubstrats bereit, das eine Polierschicht mit einer ersten Kompressibilität, eine Zwischenschicht mit einer zweiten Kompressibilität, die geringer als die erste Kompressibilität ist, und eine untere Schicht mit einer dritten Kompressibilität, die größer als die zweite Kompressibilität und geringer als die erste Kompressibilität ist, aufweist. Die Polierschicht weist einen Porositätsgrad von mindestens fünfzig Volumenprozent auf. Die vorliegende Erfindung stellt ein mehrschichtiges, auf Wasser basierendes Polierkissen mit einer verringerten Fehlerhaftigkeit und einer verbesserten Polierleistung zur Verfügung. |
