Verfahren zur Programmierung eines EEPROMs mit Einzelgatestruktur

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Programmieren eines EEPROMs mit einem ersten aktiven Bereich (20), einem zweiten aktiven Bereich (30) und einem dritten aktiven Bereich (40), die sich separat in einem Halbleitersubstrat (10) befinden, einem gemeinsamen floatenden Gate (60) über den aktiven Bereichen und diese schneidend, ersten Störstellenbereichen (23), die sich an beiden Seiten des gemeinsamen floatenden Gates in dem ersten aktiven Bereich befinden, zweiten Störstellenbereichen (33), die sich an beiden Seiten des gemeinsamen floatenden Gates in dem zweiten aktiven Bereich befinden, und dritten Störstellenbereichen (43), die sich an beiden Seiten des gemeinsamen floatenden Gates in dem dritten aktiven Bereich befinden. DOLLAR A Ein Verfahren gemäß der Erfindung umfasst das Anlegen einer Programmierspannung (V¶P¶) an die ersten Störstellenbereiche in dem ersten aktiven Bereich und die dritten Störstellenbereiche in dem dritten aktiven Bereich und das Anlegen einer Massespannung an die zweiten Störstellenbereiche in dem zweiten aktiven Bereich. DOLLAR A Verwendung in der EEPROM-Technologie.