| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer freitragenden Struktur, Verfahren zur Herstellung einer freitragenden Gate-Elektrode und Feldemissionsvorrichtung mit einer derartigen Struktur |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE60212792(T2) |
申请公布日期 |
2007.06.28 |
| 申请号 |
DE20026012792T |
申请日期 |
2002.09.30 |
| 申请人 |
SAMSUNG SDI CO. LTD. |
发明人 |
PARK, YOUNG-JUN;HAN, IN-TAEK |
| 分类号 |
H01J1/30;H01J1/304;H01J3/02;H01J9/02 |
主分类号 |
H01J1/30 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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