Verfahren zur Herstellung von nichtflüchtigen Speicherzellen

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von nicht-flüchtigen Speicherzellen. Ein Halbleiter-Wafer wird bereitgestellt, der eine Ladungsfängerschicht und eine leitende Schicht aufweist, die auf der Oberfläche des Halbleiter-Wafers aufgebracht werden. Unter Verwendung einer Maskenschicht auf der leitenden Schicht werden Kontaktlöcher ausgebildet, in die ein Kontakt-Füllmaterial aufgebracht wird. Eine weitere leitende Schicht wird auf der Oberfläche des Halbleiter-Wafers aufgebracht und so strukturiert, dass Wortleitungen ausgebildet werden. Das Kontakt-Füllmaterial wird mit einem Kontaktstöpsel unter Verwendung der Kontaktlöcher verbunden.