Herstellungsverfahren für vertikale Leitbahnstruktur, Speichervorrichtung sowie zugehöriges Herstellungsverfahren

摘要

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer vertikalen Leitbahnstruktur, eine Speichervorrichtung sowie ein zugehöriges Herstellungsverfahren, wobei nach dem Ausbilden eines Kontaktgebiets (S, D) in einem Trägersubstrat (1) ein Katalysator (8) auf dem Kontaktgebiet (S, D) hergestellt und anschließend zwischen dem Katalysator (8) und dem Kontaktgebiet ein freistehendes elektrisch leitendes Nanoelement (9) ausgebildet und in einer dielektrischen Schicht eingebettet wird.