发明名称 |
具有静电放电保护电路的差动输入输出级 |
摘要 |
本发明提出一种具有静电放电保护电路的差动输入输出级,此差动输入输出级包括一P型差动对,P型差动对包括两个P型晶体管,每一个P型晶体管的闸极耦接一N型晶体管以保护P型晶体管免于充电元件模式静电。此保护元件比起先前技术,当充电元件模式静电发生在差动输入输出级时更可以提供低阻抗电流路径。 |
申请公布号 |
CN1988148A |
申请公布日期 |
2007.06.27 |
申请号 |
CN200510132654.0 |
申请日期 |
2005.12.20 |
申请人 |
联咏科技股份有限公司 |
发明人 |
张智毅;李彦枏 |
分类号 |
H01L23/60(2006.01);H02H9/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/60(2006.01) |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
1、一种具有静电放电保护电路的差动输入输出级,其特征在于此差动输入输出级包括:一电流源,用以提供一电流;一第一P型晶体管,其第一端与基体耦接至该电流源;一第二P型晶体管,其第一端与基体耦接至该电流源;一第一静电保护单元,包括:一第一N型晶体管,其第一端耦接至该第一P型晶体管的闸极,该第一N型晶体管的闸极耦接第一N型晶体管的第二端与基体,其中当该第一P型晶体管的基体发生充电元件模式的一静电流时,该第一N型晶体管提供自该第一N型晶体管的基体至其第一端的一放电路径,以避免该静电流烧毁该第一P型晶体管的闸氧化层;以及一第二静电保护单元,包括:一第二N型晶体管,其第一端耦接该第二P型晶体管的闸极,该第二N型晶体管的闸极耦接该第二N型晶体管的第二端与基体,其中当该第二P型晶体管的基体发生充电元件模式的一静电流时,该第二N型晶体管提供自该第二N型晶体管的基体至其第一端的一放电路径,以避免该静电流烧毁该第二P型晶体管的闸氧化层。 |
地址 |
中国台湾 |