| 发明名称 | 制造半导体双极器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体电路器件结构，特别是一种制造半导体双极器件的方法，该方法包括如下步骤：1)取一半导体材料；2)向半导体材料中注入氦和氖双离子，使半导体材料的表面下形成较薄的P型导电埋层区域；3)退火。 | ||
| 申请公布号 | CN1323428C | 申请公布日期 | 2007.06.27 |
| 申请号 | CN200410007873.1 | 申请日期 | 2004.03.03 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 徐嘉东;李建明;张秀兰 |
| 分类号 | H01L21/328(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L21/324(2006.01) | 主分类号 | H01L21/328(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种制造半导体双极器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)取一InP半导体材料；2)向InP半导体材料中注入氦和氖双离子，使半导体材料的表面下形成较薄的P型导电埋层区域；首先对InP半导体材料做三种能量的氦离子叠加注入，注入条件为：(1)50keV，4×1013cm-2；(2)100keV，6×1013cm-2；(3)180keV，1×1014cm-2；然后再做氖离子注入，注入条件为：70keV，2×1013cm-23)退火。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||