发明名称 |
一种场发射阴极的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种场发射阴极的制备方法,该方法包括下列步骤:提供一基板,在该基板上沉积一金属层;对金属层表面进行氧化处理,形成一具有多个凹槽的金属氧化物层;去除多个凹槽底部的金属氧化物;通过电泳沉积方式在凹槽底部沉积碳纳米管。 |
申请公布号 |
CN1988101A |
申请公布日期 |
2007.06.27 |
申请号 |
CN200510121250.1 |
申请日期 |
2005.12.23 |
申请人 |
鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
发明人 |
董才士 |
分类号 |
H01J9/02(2006.01) |
主分类号 |
H01J9/02(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种场发射阴极的制备方法,包括下列步骤:提供一基板,在该基板上沉积一金属层;对金属层表面进行氧化处理,形成一具有多个凹槽的金属氧化物层;去除多个凹槽底部的金属氧化物;通过电泳沉积方式在凹槽底部沉积碳纳米管。 |
地址 |
518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |