| 发明名称 | 陶瓷互连基板上的厚膜电容器 | ||
| 摘要 | 在陶瓷互连基板上形成的厚膜电容器，具有高电容密度和其他需要的电学和物理性能。电容器电介质在高温下进行烧制。 | ||
| 申请公布号 | CN1988085A | 申请公布日期 | 2007.06.27 |
| 申请号 | CN200610171191.3 | 申请日期 | 2006.12.20 |
| 申请人 | E.I·内穆尔杜邦公司 | 发明人 | D·I·小艾梅;W·J·博兰 |
| 分类号 | H01G4/33(2006.01);H01G4/38(2006.01);H01G4/008(2006.01);H01G13/00(2006.01);H01L27/01(2006.01);H01L21/70(2006.01);H05K3/30(2006.01);H05K1/16(2006.01) | 主分类号 | H01G4/33(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 项丹 |
| 主权项 | 1.一种在陶瓷互连基板上形成一个或多个厚膜电容器的方法，它包括：提供玻璃-陶瓷或陶瓷互连基板；在上述基板上形成第一导电层，其中，形成所述第一导电层的步骤包括形成所述第一导电层并在至少约800℃的温度烧制；在所述第一导电层上形成电容器电介质；在所述电介质上形成第二导电层，并将所述电容器电介质与第二导电层一同烧制，使得所述第一导电层、电容器电介质和第二导电层形成电容器。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州 | ||