| 发明名称 | 磁共振电阻抗断层成像方法 | ||
| 摘要 | 一种磁共振电阻抗断层成像的方法，其特征在于采用斜位电流注入的方式，通过向法线方向与主磁场方向不平行的成像目标断面注入电流，利用磁共振成像的方法获得注入电流激励磁场沿主磁场方向的分量，进一步计算得到该断面阻抗分布图像。本发明可以克服电阻抗断层图像重建问题中三个方向旋转成像目标的缺点，同时可以解决目前无需旋转成像物体的磁共振阻抗成像方法在主磁场方向与成像物体长轴方向垂直的磁共振成像系统下难以实现的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN1985759A | 申请公布日期 | 2007.06.27 |
| 申请号 | CN200510130715.X | 申请日期 | 2005.12.23 |
| 申请人 | 中国科学院电工研究所 | 发明人 | 王慧贤;宋涛;王玉宇;何永波 |
| 分类号 | A61B5/055(2006.01) | 主分类号 | A61B5/055(2006.01) |
| 代理机构 | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人 | 关玲 |
| 主权项 | 1、一种磁共振电阻抗断层成像方法，其特征在于采用斜位电流注入的方式，通过向法线方向与主磁场方向不平行的成像目标断面注入电流，利用磁共振成像的方法获得注入电流激励磁场沿主磁场方向的分量，进一步计算得到该断面阻抗分布图像。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村北二条6号 | ||