| 发明名称 | 基体的局部镀覆方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了为了制造集成电路板和引线框插件整形电路部件等电子、电气部件而在基体(单个基体以及将集成电路片的基体高度集成化的集合基体)上局部镀覆的方法。使用镀覆用催化剂对集合基体进行局部镀覆，在将装入多个基体的容器置于镀覆用催化剂溶液中进行浸渍的镀覆用催化剂施加工序之前或之后，设置在镀覆施工面或其以外的部分上用选自水溶性高分子材料或水解性高分子材料的被覆材料进行局部被覆的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1323190C | 申请公布日期 | 2007.06.27 |
| 申请号 | CN00135775.1 | 申请日期 | 2000.12.20 |
| 申请人 | 伊藤亮;住友商事塑料株式会社 | 发明人 | 伊藤亮 |
| 分类号 | C23C18/06(2006.01);C23C18/04(2006.01);H05K3/18(2006.01) | 主分类号 | C23C18/06(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人 | 刘激扬 |
| 主权项 | 1.基体的局部镀覆方法，其特征在于，依次经过下列工序：(1)使基体表面粗化的工序，(2)用选自水溶性高分子材料和水解性高分子材料的被覆材料以注射方式对基体的粗化表面进行局部被覆的工序，(3)在施加镀覆用催化剂的同时除去被覆材料的工序，在该工序中，将装入基体的容器在镀覆用催化剂溶液中浸渍以施加镀覆用催化剂，该镀覆用催化剂施加于除具有被覆材料的被覆面以外的基体表面上，同时，除去被覆在基体上的被覆材料，(4)在施加了催化剂的表面上进行镀覆的工序。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县 | ||