| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置的制造方法，包括：提供含硅基板；清洁此含硅基板；使用第一来源气体执行第一低压化学气相沉积工艺，以选择性沉积硅籽晶层于基板上；使用第二来源气体执行第二低压化学气相沉积工艺，以选择性沉积第一硅锗层于硅籽晶层上，其中第二来源气体包括具有第一流量的盐酸；使用第三来源气体执行第三低压化学气相沉积工艺，第三来源气体包括具有第二流量的盐酸；其中，第一流量实质低于第二流量。 | ||
| 申请公布号 | CN1988110A | 申请公布日期 | 2007.06.27 |
| 申请号 | CN200610170121.6 | 申请日期 | 2006.12.22 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林立德;蔡邦彦;张志坚;李资良 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，包括：提供含硅基板；清洁所述基板；选择性沉积硅籽晶层于所述基板上；及选择性沉积硅锗层于所述硅籽晶层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||