| 发明名称 | 快闪存储器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造快闪存储器件的方法，其一个实施方案包括以下步骤：形成浮动栅极，其中隧道氧化物膜、第一导电层和氮化物膜层叠在半导体衬底第一区域上，并在半导体衬底第二区域上形成隔离膜；剥除氮化物膜，随后通过干刻蚀过程将隔离膜刻蚀至预定厚度；和在整个结构上顺序形成介电膜、第二导电层和硬掩模层，使硬掩模层图案化以形成控制栅极，并利用控制栅极作为掩模刻蚀浮动栅极图案，从而形成浮动栅极。在剥除用作形成沟道的刻蚀掩模的氮化物膜之后，在仅刻蚀隔离膜而不刻蚀导电层的条件下进行用于控制EFH的隔离膜刻蚀过程。因此，可以防止对用于浮动栅极的导电层侧部和上部的损伤，可以防止在周边区域产生深沟，以及由此提高器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN1988117A | 申请公布日期 | 2007.06.27 |
| 申请号 | CN200610098826.1 | 申请日期 | 2006.07.13 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 玄灿顺 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/8239(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种制造快闪存储器件的方法，包括以下步骤：通过在半导体衬底第一区域上层叠隧道氧化物膜、第一导电层和氮化物膜，并在半导体衬底第二区域上形成隔离膜，而形成浮动栅极图案；剥除氮化物膜，随后通过干刻蚀过程将隔离膜刻蚀至预定厚度；和在整个结构上顺序形成介电膜、第二导电层和硬掩模膜，使硬掩模膜图案化以形成控制栅极，并利用控制栅极作为掩模刻蚀浮动栅极图案，从而形成浮动栅极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||