氮化镓基半导体层叠结构、其制造方法以及采用该层叠结构的化合物半导体和发光器件

摘要

一种氮化镓基半导体层叠结构，包括低温沉积缓冲层和有源层。所述低温沉积缓冲层由III族氮化物材料构成，其已在低温下生长并以生长状态包括单晶层，所述单晶层存在于与蓝宝石衬底的(0001)(c)面接触的结区域的附近。所述有源层由设置在所述低温沉积缓冲层上的氮化镓(GaN)基半导体层构成。所述单晶层由包含相对于镓占多数的铝的六方Al_XGa_YN(0.5＜X≤1，X+Y＝1)晶体构成，以便Al_XGa_YN晶体的[2.－1.－1.0.]方向沿着所述蓝宝石衬底的(0001)底面的[2.－1.－1.0.]方向取向。

主权项

1.一种氮化镓基半导体层叠结构，包括：由III族氮化物材料构成的低温沉积缓冲层，其已在低温下生长并以生长状态包括单晶层，所述单晶层存在于与蓝宝石衬底的(0001)(c)面接触的结区域附近；以及有源层，由设置在所述低温沉积缓冲层上的氮化镓(GaN)基半导体层构成；其中以生长状态包括在所述低温沉积缓冲层中的所述单晶层由包含相对于镓占多数的铝的六方AlXGaYN(0.5＜X≤1，X+Y＝1)晶体构成，以便AlXGaYN晶体的[2.-1.-1.0.]方向沿着所述蓝宝石衬底的(0001)底面的[2.-1.-1.0.]方向取向。