发明名称 |
半导体器件中的电容器及其制造方法 |
摘要 |
一种半导体器件的电容器,其具有多晶硅-介电层-金属层(PIM)结构。该电容器包括:多晶硅层,设置在半导体衬底上;电容器介电层,设置在该多晶硅层上;绝缘层,设置在该电容器介电层上;金属层,设置为穿过该绝缘层的第一区域连接至该电容器介电层;上金属布线层,设置在该绝缘层上并连接至该金属层;以及下金属布线层,设置在该绝缘层上,并经过金属接触部连接至该多晶硅层,其中该金属接触部穿过该绝缘层的第二区域和该电容器介电层。 |
申请公布号 |
CN1988181A |
申请公布日期 |
2007.06.27 |
申请号 |
CN200610173267.6 |
申请日期 |
2006.12.19 |
申请人 |
东部电子股份有限公司 |
发明人 |
奇安度 |
分类号 |
H01L29/94(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/822(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/94(2006.01) |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
郑小军 |
主权项 |
1.一种半导体器件的电容器,包括:多晶硅层,设置在半导体衬底上;电容器介电层,设置在该多晶硅层上;绝缘层,设置在该电容器介电层上;金属层,设置为穿过该绝缘层的第一区域连接至该电容器介电层;上金属布线层,设置在该绝缘层上并连接至该金属层;以及下金属布线层,设置在该绝缘层上,并经过金属接触部连接至该多晶硅层,其中该金属接触部穿过该绝缘层的第二区域和该电容器介电层。 |
地址 |
韩国首尔 |