| 发明名称 | 存储元件 | ||
| 摘要 | 提供了一种其构造能够容易以高密度制造的存储元件。该存储元件包括两个电极(1、4)之间的记录层(2、3)，且向两个电极(1、4)施加不同极性的电势，从而由电阻变化元件(10)构造存储单元，用于可逆地改变记录层(2、3)的电阻值。在多个相邻的存储单元中，至少一部分构成电阻变化元件(10)的记录层的层(2、3)是由相同层共同形成的。 | ||
| 申请公布号 | CN1989619A | 申请公布日期 | 2007.06.27 |
| 申请号 | CN200580024194.8 | 申请日期 | 2005.07.08 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 荒谷胜久;对马朋人;成泽浩亮;大塚涉;八野英生 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种存储元件，其特征在于电阻变化元件构成存储单元，所述电阻变化元件具有在两个电极之间提供的记录层，且其中所述记录层的电阻值在施加具有与所述两个电极不同极性的电势时可逆地改变，构成所述电阻变化元件的所述记录层的层的至少一部分是由所述多个相邻存储单元中的同一层共同形成的。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||