发明名称 | 具有减小反射的层序列的发光二极管 | ||
摘要 | 本发明涉及一种包括有源区(7)的发光二极管,其向主辐射方向(15)发射电磁辐射,其中在主辐射方向(15)上,减小反射的层序列(16)设置在所述有源区(7)之后,所述减小反射的层序列(16)包含:由至少一个层对(11,12)构成的DBR反射器(13),在主辐射方向(15)上跟在所述DBR反射器(13)之后的增透层(9),以及设置在所述DBR反射器(13)与所述增透层(9)之间的中间层(14)。 | ||
申请公布号 | CN1989629A | 申请公布日期 | 2007.06.27 |
申请号 | CN200580025264.1 | 申请日期 | 2005.06.15 |
申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | 伊内斯·皮聪卡;沃尔夫冈·施密德;拉尔夫·维尔特 |
分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
主权项 | 1.一种具有有源区(7)的发光二极管(1),所述有源区向主辐射方向(15)发射电磁辐射,其中在所述主辐射方向(15)中,减小反射的层序列(16)设置在所述有源区(7)之后,其特征在于,所述减小反射的层序列(16)包含:-由至少一个层对(11,12)构成的DBR反射器(13),-在所述主辐射方向(15)上跟在所述DBR反射器(13)之后的增透层(9),以及-设置在所述DBR反射器(13)与所述增透层(9)之间的中间层(14)。 | ||
地址 | 德国雷根斯堡 |