| 发明名称 | 薄膜晶体管装置及其制造方法以及显示装置 | ||
| 摘要 | 在TFT的层间绝缘膜的下层开设达到由较薄的多晶硅膜构成的源极区域或漏极区域的接触孔时，若穿透多晶硅膜，则在接触孔底部不会残留多晶硅膜，故连接电阻增大。此外，在保持电容的下部电极由多晶硅膜构成时，为了使该膜低电阻化，需要高掺杂量的掺杂工艺，故导致生产率显著降低。形成覆盖在衬底(1)上以岛状形成的多晶硅膜(3)的源极区域(3a)以及漏极区域(3b)的至少一部分的金属膜(4)之后，形成栅极绝缘膜(5)、栅电极(6)、层间绝缘膜(7)，在金属膜(4)的上部开设接触孔(8)。并且，在形成金属膜(4)时，延伸到保持电容的位置，由此，使金属膜(4)成为保持电容的下部电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1988164A | 申请公布日期 | 2007.06.27 |
| 申请号 | CN200610170163.X | 申请日期 | 2006.12.22 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 永田一志;伊藤康悦 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L29/43(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 浦柏明;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种形成在衬底上的薄膜晶体管装置，其特征在于：具有覆盖以岛状形成的半导体层的源极区域以及漏极区域的至少一部分的金属膜，具有覆盖所述岛状的半导体层与所述金属膜的栅极绝缘膜、覆盖所述栅极绝缘膜的层间绝缘膜、位于所述层间绝缘膜上的信号布线，在所述栅极绝缘膜与所述层间绝缘膜上形成到达所述金属膜的接触孔，所述信号布线通过所述接触孔与所述金属膜连接。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||