| 发明名称 | 闸流晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种闸流晶体管和用于制造该闸流晶体管的方法，该方法包括：提供半导体衬底，该半导体衬底具有第一和第二主表面。在半导体衬底中形成第一掺杂区，其中该第一掺杂区自第一主表面延伸到半导体衬底中。第一掺杂区具有垂直边界，且该垂直边界具有凹口部分。在第一掺杂区中形成第二掺杂区，其中该第二掺杂区自第一主表面延伸到第一掺杂区中。在半导体衬底中形成第三掺杂区，其中第三掺杂区自第二主表面延伸到半导体衬底中。 | ||
| 申请公布号 | CN1988173A | 申请公布日期 | 2007.06.27 |
| 申请号 | CN200610149385.3 | 申请日期 | 2006.11.16 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | 艾曼纽尔·索塞多－夫劳斯 |
| 分类号 | H01L29/74(2006.01);H01L29/747(2006.01);H01L21/332(2006.01) | 主分类号 | H01L29/74(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种闸流晶体管，特征在于：具有第一和第二表面的第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的第一掺杂区，自第一表面延伸到半导体衬底中，第一掺杂区在半导体衬底中具有垂直边界，其中一部分垂直边界具有第一凹口；和第一导电类型的第二掺杂区，其从第一表面延伸到第一掺杂区中。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||