| 发明名称 | 覆铜、抑制晶须生成的方法、印刷电路板以及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明所提供的晶须生成被抑制的覆铜的特征为，由铜基材或铜合金基材、该基材表面所形成的铜扩散锡层、以及该铜扩散锡层表面所形成的纯锡层组成，该铜扩散锡层的厚度为，铜扩散锡层与纯锡层总厚度的55％以上；本发明还提供，布线图为铜基材或铜合金基材的印刷电路板以及半导体装置。根据本发明，能抑制引起短路之原因的15μm以上的长晶须的生成。 | ||
| 申请公布号 | CN1989272A | 申请公布日期 | 2007.06.27 |
| 申请号 | CN200580024384.X | 申请日期 | 2005.06.16 |
| 申请人 | 三井金属矿业株式会社 | 发明人 | 藤井延朗 |
| 分类号 | C23C28/02(2006.01);C23C10/28(2006.01);C23C18/52(2006.01);C25D5/10(2006.01);C25D7/00(2006.01);H05K1/09(2006.01) | 主分类号 | C23C28/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人 | 朱梅;徐志明 |
| 主权项 | 1、一种晶须生成被抑制的覆铜，其特征为，由铜基材或铜合金基材、在该基材表面所形成的铜扩散锡层、以及在该铜扩散锡层表面所形成的纯锡层组成，该铜扩散锡层的厚度为，铜扩散锡层与纯锡层总厚度的55％以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||