非易失性浮置栅极存储单元及其制造方法

摘要

本发明提供一种非易失性浮置栅极存储单元及其制造方法。上述非易失性浮置栅极存储单元包括具有第一导电型的半导体衬底；位于半导体衬底上的第一区域，具有相异于该第一导电型的第二导电型；位于半导体衬底上具有第二导电型的第二区域，与第一区域隔离；沟道区，连接第一区域与第二区域，做为电荷沟道；设置于沟道区上的介电层；设置于介电层上的控制栅极；设置于半导体衬底与控制栅极上的隧穿介电层；以及在隧穿介电层上的两个电荷储存点，彼此相隔离且位于控制栅极的侧壁相对的侧端上。本发明的二元非易失性存储器元件，由于两个多晶硅电荷储存点的距离可随控制栅极的宽度而跟着微缩，使得工艺的精度得以提升。

主权项

1.一种非易失性浮置栅极存储单元，包括：具有一第一导电型的半导体衬底；第一区域，位于该半导体衬底上，具有相异于该第一导电型的第二导电型；具有该第二导电型的第二区域，位于该半导体衬底上，且与该第一区域隔离；沟道区，连接该第一区域与该第二区域，做为电荷沟道；介电层，设置于该沟道区上；控制栅极，设置于该介电层上；隧穿介电层，设置于该半导体衬底与该控制栅极上；以及两个电荷储存点，设置于该隧穿介电层上，彼此相隔离且位于该控制栅极的侧壁相对端。