| 发明名称 | 用于选择性遮蔽III－N层和用于独立的III－N层或者器件的制备的方法以及由此获得的产品 | ||
| 摘要 | 一种用于在III－N层上形成掩模材料的方法，其中，III表示从Al、Ga和In中选择的元素周期表的III族的至少一种元素，其中，提供具有表面的III－N层，所述III－N层包括多于一个刻面。掩模材料被选择性只沉积在一个或多个但不是所有的刻面上。在生长条件下在III－N层的外延生长期间特别进行掩模材料的沉积，通过外延生长(i)在第一类型或第一组刻面上选择性地生长至少一个进一步的III－N层和(ii)同时在第二类型或第二组刻面上选择性沉积掩模材料。通过根据本发明的方法，可以产生独立的厚的III－N层。此外，可以产生具有特定结构或层的半导体器件或元件。 | ||
| 申请公布号 | CN1988113A | 申请公布日期 | 2007.06.27 |
| 申请号 | CN200610168592.3 | 申请日期 | 2006.12.21 |
| 申请人 | 弗赖贝格化合物原料有限公司 | 发明人 | 弗兰克·哈贝尔;费迪纳德·斯科尔兹;巴巴拉·纽伯特;彼得·布鲁克纳;托马斯·温德勒 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L23/00(2006.01);C30B25/02(2006.01);C30B29/40(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种用于在III-N层上形成掩模材料的方法，其中，III表示从Al、Ga和In中选择的元素周期表的III族的至少一种元素，其中，提供具有表面的III-N层，所述III-N层包括多于一个刻面；并且在一个或多个但不是所有的刻面上选择性沉积掩模材料。 | ||
| 地址 | 德国弗赖贝格 | ||