| 发明名称 |
GaN-BASED FIELD EFFECT TRANSISTOR AND PRODUCTION METHOD THEREFOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1801865(A1) |
申请公布日期 |
2007.06.27 |
| 申请号 |
EP20050776789 |
申请日期 |
2005.08.26 |
| 申请人 |
NATIONAL INSTITUTE OF INFORMATION AND COMMUNICATONS TECHNOLOGY |
发明人 |
HIGASHIWAKI, M. |
| 分类号 |
H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06;H01L29/20 |
主分类号 |
H01L29/778 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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