发明名称 | 有机金属组合物 | ||
摘要 | 提供了适合用作含锗膜的气相沉积前体的包含锗化合物的组合物。还提供了使用所述组合物沉积含锗膜的方法。这些含锗膜可特别有效地用来制造电子器件。 | ||
申请公布号 | CN1986877A | 申请公布日期 | 2007.06.27 |
申请号 | CN200610167560.1 | 申请日期 | 2006.12.18 |
申请人 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 发明人 | D·V·舍奈-卡特克哈特;E·沃尔克 |
分类号 | C23C16/30(2006.01);C23C16/448(2006.01) | 主分类号 | C23C16/30(2006.01) |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 沙永生 |
主权项 | 1.一种在基片上沉积含锗膜的方法,该方法包括以下步骤:a)将气相形式的锗化合物以及选自气相改性剂和表面改性剂的添加剂化合物传输到包含有所述基片的沉积室,所述锗化合物的化学式为GeA4,式中各A独立地选自氢、卤素、烷基、烯基、炔基、芳基、氨基、二烷基氨基和二烷基氨基烷基,所述添加剂不含锗;b)使所述锗化合物在沉积室内分解;c)在所述基片上沉积含锗膜。 | ||
地址 | 美国马萨诸塞州 |