| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有衬底(11)和半导体主体(12)的半导体装置(10)，该半导体装置包括垂直双极晶体管，该双极晶体管具有分别为第一导电类型的发射极区(1)、与第一导电类型相反的第二导电类型的基极区(2)、以及第一导电类型的集电极区(3)，其中该集电极区(3)包括邻接于该基极区(2)的第一子区(3A)和邻接于该第一子区(3A)的第二子区(3B)，第一子区(3A)的掺杂浓度低于该第二子区(3B)的掺杂浓度，且该晶体管设有横向邻接于该第一子区(3A)的栅电极(5)，该第一子区(3A)通过该栅电极可以被耗尽。根据本发明，该集电极区(3)邻接于该半导体主体(12)的表面，而该发射极区(1)凹陷于该半导体主体(12)内，且该集电极区(3)形成了在该半导体主体(12)表面处形成的平台结构(6)的一部分。这种装置(10)具有非常有利的高频和高压性能，并且容易制造。在一个优选实施方案中，集电极(3)包括形成平台结构(6)的纳米线(30)。 | ||
| 申请公布号 | CN1989621A | 申请公布日期 | 2007.06.27 |
| 申请号 | CN200580024422.1 | 申请日期 | 2005.07.07 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | G·A·M·胡尔克斯;P·阿加瓦尔;E·希岑;R·J·E·赫廷 |
| 分类号 | H01L29/08(2006.01);H01L29/06(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L29/737(2006.01) | 主分类号 | H01L29/08(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 康正德;魏军 |
| 主权项 | 1.一种具有衬底(11)和半导体主体(12)的半导体装置(10)，该半导体装置包括垂直双极晶体管，该双极晶体具有分别为第一导电类型的发射极区(1)、与第一导电类型相反的第二导电类型的基极区(2)、以及第一导电类型的集电极区(3)，其中该集电极区(3)包括邻接于该基极区(2)的第一子区(3A)和邻接于该第一子区(3A)的第二子区(3B)，第一子区(3A)的掺杂浓度低于该第二子区(3B)的掺杂浓度，且该晶体管被设有横向邻接于该第一子区(3A)的栅电极(5)，该第一子区(3A)通过该栅电极可以被耗尽，其特征在于，该集电极区(3)邻接于该半导体主体(12)的表面，而该发射极区(1)凹陷于该半导体主体(12)内，且该集电极区(3)形成了在该半导体主体(12)的表面处形成的平台结构(6)的一部分。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||