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DISPOSITIVO OPTOELETRõNICO EMISSOR DE INFRAVERMELHO Refere-se a um dispositivo optoeletrónico emissor de radiação na região espectral do infravermelho que, através de tecnologia inovadora, apresenta baixo custo de produção e método de fabricação não poluente, podendo ser reproduzido pelo setor eletroeletrónico. Na sua primeira forma, uma das faces do material orgânico nanoestruturado (MON) (2) está em contato com uma camada condutora, cátodo (1). A outra face do MON está em contato com o ânodo (3), o qual está em contato com um substrato transparente (6) por onde a radiação será transmitida para o exterior. Com aplicação de tensão, as cargas positivas injetadas pelo ânodo (3) e as cargas negativas injetadas pelo cátodo (1) fluem dentro do MON em direções opostas e, ao interagirem coulombicamente, formam uma espécie energeticamente excitada. Uma vez excitado, o decaimento do éxciton produz emissão de radiação, cuja freqüência depende da diferença de energia entre os estados eletrõnicos fundamentais e excitados do emissor. Na segunda forma. tem-se um substrato isolante de material não transparente à radiação (7) que está erm contato com o MON e uma camada condutora que está em contato com um substrato transparente (6) por onde a radiação é transmitida para o exterior, com aplicação de tensão.
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