发明名称 PROCEDE DE FABRICATION DE SUBSTRAT, ET SUBSTRAT
摘要
申请公布号 FR2884046(B1) 申请公布日期 2007.06.22
申请号 FR20050003174 申请日期 2005.03.31
申请人 S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES SOCIETE ANONYME 发明人 MAZURE CARLOS;BOURDELLE KONSTANTIN
分类号 H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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