发明名称 降低电源线阻値之结构与方法,可适用于一发光二极体显示器
摘要 一种降低发光二极体显示器中电源线阻值之结构与方法。于一发光二极体显示器中,至少包括一发光二极体,一电源,以及一电源线结构,以引导该电源,以提供驱动发光二极体所需电源。其中降低阻值结构包括,在该电源线结构之至少一部份之上面有一绝缘层。绝缘层包括有至少二开口,暴露该电源线结构。一导电层结构覆盖于该绝缘层上,且透过该至少二开口与该电源线结构电性接触,如此构成该导电层结构与该电源线结构有一部份并联。由于并联之该导电层结构,使电源线结构之阻值降低。
申请公布号 TWI283143 申请公布日期 2007.06.21
申请号 TW091135004 申请日期 2002.12.03
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 胡珍仪;孙文堂
分类号 H05B33/10(2006.01) 主分类号 H05B33/10(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种降低电源线阻値之结构,可适用于一发光二 极体显示器中,其中该发光二极体显示器中,至少 包括复数个画素,每一该些画素包括一发光二极体 ,一电源,以及一电源线结构,以提供驱动该发光二 极体所需之电源,该降低电源线阻値之结构包括: 一绝缘层,位于该电源线结构上面,其中该绝缘层 包括有至少二开口,以暴露出该电源线结构至少一 部份之两端;以及 至少一导电层结构覆盖于该绝缘层上,且透过该至 少二开口与该电源线结构电性接触,如此构成该导 电层结构与该电源线结构至少有一部份并联。 2.如申请专利范围第1项所述之降低电源线阻値之 结构,其中该至少一导电层结构之一导电性大于该 电源线结构之一导电性。 3.如申请专利范围第1项所述之降低电源线阻値之 结构,其中该至少一导电层结构,包括复数个导电 层结构,分布于该些画素之间。 4.如申请专利范围第1项所述之降低电源线阻値之 结构,其中该电源线结构包括一主电源线以导入该 电源,以及复数条电源支线,以提供电源给每一该 些画素之该发光二极体。 5.如申请专利范围第4项所述之降低电源线阻値之 结构,其中该至少一导电层结构,包括一导电层,位 于该主电源线上。 6.如申请专利范围第4项所述之降低电源线阻値之 结构,其中该至少一导电层结构,包括一导电层,位 于该些电源支线上。 7.一种降低电源线阻値之结构,可适用于一发光二 极体显示器中,其中该发光二极体显示器中,至少 包括复数个画素,每一该些画素包括一发光二极体 ,一电源,以及一电源线结构,以提供驱动该发光二 极体所需之电源,该降低电源线阻値之结构包括: 一绝缘层,位于该电源线结构上面,其中该绝缘层 包括复数个开口,以暴露出该电源线结构;以及 一导电层结构覆盖于该绝缘层上,且透过该些开口 与该电源线结构电性接触,如此构成该导电层结构 与该电源线结构至少有一部份并联。 8.如申请专利范围第7项所述之降低电源线阻値之 结构,其中该导电层结构之一导电性大于该电源线 结构之一导电性。 9.如申请专利范围第7项所述之降低电源线阻値之 结构,其中该些开口分布于该些画素之间。 10.如申请专利范围第7项所述之降低电源线阻値之 结构,其中该电源线结构包括一主电源线以导入该 电源,以及复数条电源支线,以提供电源给每一该 些画素之该发光二极体。 11.如申请专利范围第10项所述之降低电源线阻値 之结构,其中该至少一导电层结构,包括一导电层, 位于该主电源线上。 12.如申请专利范围第10项所述之降低电源线阻値 之结构,其中该至少一导电层结构,包括一导电层, 位于该些电源支线上。 13.一种降低电源线阻値之方法,可适用于一发光二 极体显示器中,其中该发光二极体显示器中,已形 成至少包括复数个画素,每一该些画素包括一发光 二极体,以及一电源线结构以引导一电源,而提供 驱动该发光二极体所需之电源,该降低电源线阻値 之方法包括: 形成一绝缘层,位于该电源线结构上面; 形成复数个开口于该绝缘层中,以暴露出该电源线 结构;以及 形成一导电层结构覆盖于该绝缘层上,且填入该些 开口与该电源线结构电性接触,以降低该导电层结 构之一阻値。 14.如申请专利范围第13项所述之降低电源线阻値 之方法,其中该导电层结构之一导电性大于该电源 线结构之一导电性。 15.如申请专利范围第13项所述之降低电源线阻値 之方法,其中该些开口之相邻其二,被形成于该电 源线结构之一部分之两端。 16.如申请专利范围第13项所述之降低电源线阻値 之方法,其中形成该导电层结构覆盖于该绝缘层上 之该步骤,包括形成复数个导电层,且涵盖二个该 些开口。 17.如申请专利范围第13项所述之降低电源线阻値 之方法,其中该电源线结构包括一主电源线以导入 该电源,以及复数条电源支线,以提供电源给每一 该些画素之该发光二极体,其中该形成该导电层结 构覆盖于该绝缘层上之该步骤,包括该形成该导电 层结构于该电源线结构之上方。 图式简单说明: 第1图绘示传统上,有机发光二极体之画素阵列之 驱动电路示意图; 第2图绘示传统之电源线结构上视图; 第3图绘示依照本发明,电源线结构上视图; 第4图绘示依照本发明,于第3图中沿着I-I线之剖面 结构图; 第5图绘示依照本发明,电阻的等效电路;以及 第6~7图绘示依照本发明,电源线结构之二种布局图 。
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