| 主权项 |
1.一种发光材料,特别是一种应用于LED的磷光体,其 可在380至470奈米的UV-蓝光区域中激发,其特征为掺 杂Eu而具有共通组成的MSi2O2N2宿主晶格,其中M为至 少一种选自于Ca、Sr、Ba的硷土金属族,且其Eu比例 为M的0.1至30%。 2.如申请专利范围第1项之发光材料,其中M为钙,以 达成发射绿光。 3.如申请专利范围第1项之发光材料,其中M为该等 金属的至少二种之混合物。 4.如申请专利范围第1项之发光材料,其中M额外包 含Zn,较佳为最高40莫耳%。 5.如申请专利范围第1项之发光材料,其中Si由Ge完 全或部分置换,较佳为最高25莫耳%。 6.如申请专利范围第1项之发光材料,其中该宿主材 料进一步掺杂Mn,该Mn的量较佳地至多为该Eu掺杂物 的最高50%。 7.如申请专利范围第1项之发光材料,其中SiN由AlO部 分地置换,而产生一由MSi2-xAlxO2+xN2-x提供的共通组 成物。 8.一种具有如申请专利范围第1至7项中任一项之发 光材料之光源(20),其中该一级发射光为蓝光,而且 将如申请专利范围第1至7项中任一项之发光材料 与其他的磷光体混合,以将该部分的一级发射光转 换成波长较长的二级发射光,而发射出白光,或者 有颜色的光。 9.如申请专利范围第8项之光源,其中该其他的磷光 体系为红色磷光体或蓝色磷光体,或者同时有红色 磷光体与蓝色磷光体。 10.如申请专利范围第8项之光源,其中该光源为具 有至少一LED的照明装置。 图式简单说明: 第1a及1b图显示出一种可提供作为白光光源的半导 体构件(LED),其含铸模树脂图(第1a图)及不含铸模树 脂图(第1b图); 第2图显示出含有根据本发明之磷光体的照明装置 ;及 第3至5图显示出根据本发明之进一步磷光体的发 射光谱及反射光谱。 |
