| 主权项 |
1.一种层合物体,包括; 欲研磨基板; 与该基板接触之连接层; 位在该连接层下方之光热转化层;其中光热转化层 包括一光吸收剂,一热可分解树脂及视需要一透明 填充剂,视需要其中该透明填充剂为氧化矽; 设置在该光热转化层下方之光透过担体;及 视需要,介于连接层及光热转化层间之第一中间层 ,视需要其中该第一中间层为多层光学膜。 2.如申请专利范围第1项之层合物体,其中该光吸收 剂包括碳黑。 3.如申请专利范围第1项之层合物体,其中该光吸收 剂为碳黑及该光热转化层中该碳黑与该透明填充 剂总量占该光热转化层体积之5至70体积%。 4.如申请专利范围第1项之层合物体,其中该光吸收 剂为碳黑及该光热转化层中该碳黑与该透明填充 剂总量为临界填充剂体积浓度之80%或以上。 5.如申请专利范围第1项之层合物体,其中该光热转 化层包括5至70体积%之碳黑,以该光热转化层之体 积为准。 6.如申请专利范围第1至5项中任一项之层合物体, 其中该担体为玻璃。 7.如申请专利范围第1至5项中任一项之层合物体, 其中该连接层为光可熟化黏着剂。 8.如申请专利范围第1至5项中任一项之层合物体, 其中在该光热转化层及该光透过担体之间设有第 二中间层,且该第二中间层及该光透过担体经由另 一连接层连接。 9.如申请专利范围第1至4项中任一项之层合物体, 其中该基板为脆性材料。 10.如申请专利范围第1至4项中任一项之层合物体, 其中该基板为矽晶圆。 11.一种制造如申请专利范围第1至10项中任一项之 层合物体之方法,该方法包括: 在光透过担体上涂布含有光吸收剂及热可分解树 脂溶液或单体或寡聚物作为热可分解树脂之前驱 物材料之光热转化层; 使该光热转化层前驱物乾燥至固化或熟化而在光 透过担体上形成光热转化层; 将黏着剂涂布在欲研磨基板上或光热转化层上,而 形成连接层;及 使欲研磨基板及光热转化层在减压下经由连接层 连接而形成层合物体。 12.一种制造如申请专利范围第1至10项中任一项之 层合物体之装置,其中在光透过担体上形成之光热 转化层在减压下经由连接层而层合在该欲研磨基 板上,该装置包括: 可降低至预定压力之真空室; 设在该真空室中之担持零件,其上沉积有(i)欲研磨 之基板或(ii)其上形成有光热转化层之光透过担体 ,及 设在该真空室中之固定及释离手段并可以垂直方 向在该担持元件上部移动,其可使另一个欲研磨基 板或其上具有光热转化层之光透过担体固定在其 边缘且当欲研磨基板及该光热转化层紧密靠近时 亦可使其释离。 13.一种制造薄基板之方法,包括: 制备如申请专利范围第1至10项中任一项之层合物 体; 研磨该基板至所欲厚度; 经该光透过担体照射该光热转化层以分解该光热 转化层并在研磨后藉此分离该基板及该光透过担 体;及 研磨后自该基板剥离该连接层。 14.一种制造一基板之装置,包括: 一适用研磨如申请专利范围第1至10项中任一项之 层合物体之基板之研磨器; 可经该光透过担体提供足够高辐射能至该光热转 化层以分解该光热转化层并藉此分离研磨后之该 基板及该光透过担体之辐射能源;及 适于自该基板去除该连接层之分离器。 图式简单说明: 图1a为本发明一具体例之截面图 图1b为本发明第二具体例之截面图。 图1c为本发明第三具体例之截面图。 图1d为本发明第四具体例之截面图。 图1e为本发明第五具体例之截面图。 图1f为本发明第六具体例之截面图。 图2a为可用于本发明方法之研磨装置之截面图,显 示压缩之弹簧。 图2b为可用于本发明方法之研磨装置之截面图,显 示释放之弹簧。 图3为可用于本发明方法之研磨装置之部分截面图 。 图4a为配置于层合物体之晶圆侧之基板表面之模 嘴结合胶带。 图4a'为其上不具有模嘴结合胶带之层合物体之晶 圆侧之基板表面。 图4b为配置于层合物体之切割胶带及切割框架。 图4c为照射于层合物体之撑体侧之雷射束。 图4d为照射后撑体之去除。 图4e为藉剥离连接层之分离。 图5为可用于雷射束照射步骤之层合物体固定装置 之截面图。 图6a为配有具双轴构形之检流计之雷射照射装置 。 图6b为配有单轴检流计及单向浮台之雷射照射装 置。 图6c为配有嵌于双向浮台之雷射谐振器之雷射照 射装置。 图6d为配有固定雷射谐振器及双向浮台之雷射照 射装置。 图6e为配有嵌于单向浮台之雷射谐振器之雷射照 射装置。 图6f为雷射束能量之顶帽形式。 图7a为在垂直方向之拾取概视图。 图7b为剥离之拾取概视图。 图8为显示如何自晶圆剥离连接层之概视图。 图9为测量该连接层之黏着强度之装置概视图。 |
