| 主权项 |
1.一种高功率发光二极体之封装模具改良,其包括: 一基板,该基板上系具有一设有晶粒之凹槽; 一灌注模具组,设置于该基板上,并在该灌注模具 组上设置有至少一灌注孔,与内部一弧面凹槽相连 通;以及 一封装体,自该灌注孔入注入,使该封装体设置于 上述基板之一面上,并封盖于凹槽上,产生一弧面 部,且该封装体系为矽胶(Silicon)所构成。 2.依据申请专利范围第1项所述之高功率发光二极 体之封装模具改良,其中,该基板系由导热材质所 制成。 3.依据申请专利范围第1项所述之高功率发光二极 体之封装模具之改良,其中,该灌注孔设置于该灌 注模具组的上方。 4.依据申请专利范围第1项所述之高功率发光二极 体之封装模具之改良,其中,该灌注孔设置于该灌 注模具组的侧边。 5.依据申请专利范围第1项所述之高功率发光二极 体之封装模具之改良,其中,该弧面凹槽的弧面曲 度依该晶粒大小做出最适合光线穿透之曲面。 6.依据申请专利范围第1项所述之高功率发光二极 体之封装模具之改良,其中,该封装体系为一耐热 之矽胶材质。 7.依据申请专利范围第1项所述之高功率发光二极 体之封装模具之改良,其中,该封装体系为一透光 度佳之矽胶材质。 8.依据申请专利范围第1项所述之高功率发光二极 体之封装模具之改良,其中,该灌注模具组上更设 置有一止挡部,用以固定设置该基板。 图式简单说明: 第1图系为本创作高功率发光二极体之封装模具改 良之实施例图。 第2图系为本创作高功率发光二极体之封装模具改 良之实施例图。 第3图系为本创作高功率发光二极体之封装模具改 良之另一实施例图。 第4图系为本创作之高功率发光二极体之封装模具 改良完成立体剖视图。 第5图系为本创作之高功率发光二极体之封装模具 改良完成立体图。 第6图系为习用之剖面状态示意图。 |
