发明名称 滴式产生器之晶粒处理技术
摘要 处理一具有一边缘及一基材(26)的晶粒(24),其上设有一层水分可渗透材料(40)。该水分可渗透材料会延伸至该晶粒的边缘(32)。一实施例系包含中断该层水分可渗透材料,而在靠近该边缘的周界处形成一间隙(52),俾实质阻止水分移动通过该水分可渗透材料的间隙。
申请公布号 TWI283040 申请公布日期 2007.06.21
申请号 TW092109780 申请日期 2003.04.25
申请人 惠普研发公司 发明人 赛门多德;席安P. 麦克卡里兰德;柯比V. 佛雷恩;泰瑞E. 麦克玛赫;安扥尼欧S. 库鲁兹-伍莱比
分类号 H01L21/76(2006.01) 主分类号 H01L21/76(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种用于液滴产生器的晶粒(24),包含: 一基材(26); 一水分可渗透层(40)设在该基材上而延伸至该晶粒 之一边缘(32); 一障壁机构(50)可分隔该水分可渗透层(40)而在靠 近该边缘的周界处形成一间隙(52),以阻挡水分移 动穿过该晶粒之水分可渗透层的间隙,该障壁机构 包括二各别的部份(51,55)。 2.如申请专利范围第1项之晶粒(24),其中该障壁机 构系为一障壁(51,55)乃被设成实质连续地延伸环绕 该晶粒(24)的整个周缘。 3.如申请专利范围第1项之晶粒(24),其中用来分隔 的障壁机构乃包括除去在边缘(32)处的水分可渗透 层(40)。 4.如申请专利范围第1项之晶粒(24),其中该二各别 部份(51,55)当由晶粒上方视之系呈U形。 5.一种可限制水分通过一晶粒(24)之水分可渗透材 料层(40)的路径(45)长度之方法,其中有部份的水分 可渗透材料层系会曝露于水分环境,而该方法包含 以下步骤: 以一靠近于该曝露部份的障壁(50)中断该水分可渗 透材料层,而来阻断水分由该曝露部份(40E,306)移动 通过该水分可渗透材料层的路径,其中该障壁系由 二各别区段(51,55)所组成。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中该晶粒(24)含 有一边缘(32)而会由此来与一晶圆(20)分开,该方法 则包含将该障壁(50)设在靠近该晶粒边缘处。 7.如申请专利范围第5项之方法,其中该中断步骤乃 包括除掉在一周界(52)处的部份水分可渗透材料层 (40),并以一非水分可渗透材料(44)所形成的障壁来 取代前述被除掉的部份。 8.如申请专利范围第7项之方法,乃包括在除掉周界 (52)处之部份水分可渗透材料时,亦同时除掉该水 分可渗透材料层(40)之一第二部份(43)的步骤。 9.如申请专利范围第5项之方法,其中之中断步骤乃 包括蚀刻除掉在该周界处之一些水分可渗透材料 层(40)。 10.如申请专利范围第5项之方法,其中该晶粒包含 一可熔连膜(300)设在磷矽酸盐玻璃240上,而可操作 来曝露底下的磷矽酸盐玻璃,且该方法包含以一由 二各别区段(51,55)所组成之障壁来包围该可熔连膜 的步骤。 图式简单说明: 第1图为以本发明一实施例之方法来处理的晶粒之 部份截面示意图。 第2图为依本发明之一实施例来处理的晶粒在一晶 圆上的顶视图。 第3A~3F图为依本发明来处理晶粒之较佳方法的详 细示意图。 第4图为本发明被变化应用于一带有可熔连膜之晶 粒部份的示意图。
地址 美国