| 主权项 |
1.一种晶片散热系统,适用于一晶片散热,该晶片散 热系统包含: 一散热装置,系用以接收该晶片之一废热,该散热 装置系由一导热材料所组成,且该导热材料系包含 一金属材料及一架状结构之碳元素; 一热交换装置,系用以排放该废热; 至少两导管,系用以连接该散热装置及该热交换装 置之至少两连接端;以及 一泵浦装置,系用以将一流体经由该导管于该散热 装置及该热交换装置内循环流动。 2.如申请专利范围第1项所述之晶片散热系统,其中 该晶片系为一中央处理单元晶片。 3.如申请专利范围第1项所述之晶片散热系统,其中 该金属材料系为铜材质。 4.如申请专利范围第1项所述之晶片散热系统,其中 该金属材料系为银材质。 5.如申请专利范围第1项所述之晶片散热系统,其中 该金属材料系为铝材质。 6.如申请专利范围第1项所述之晶片散热系统,其中 该金属材料系为一具高导热系数之金属合金材质 。 7.如申请专利范围第1项所述之晶片散热系统,其中 该架状结构之碳元素系为钻石。 8.如申请专利范围第1项所述之晶片散热系统,其中 该导热材料系为一化学气相沉积而形成。 9.如申请专利范围第1项所述之晶片散热系统,其中 该导热材料系为一物理气相沉积而形成。 10.如申请专利范围第1项所述之晶片散热系统,其 中该导热材料系为一熔融方式而形成。 11.如申请专利范围第1项所述之晶片散热系统,其 中该散热装置系为一金属射出成型方式而形成。 12.如申请专利范围第1项所述之晶片散热系统,其 中该散热装置更包含复数个散热鳍片。 13.如申请专利范围第12项所述之晶片散热系统,其 中该散热鳍片系由该导热材料所组成。 14.如申请专利范围第1项所述之晶片散热系统,其 中该热交换装置更包含一气流产生装置。 15.如申请专利范围第14项所述之晶片散热系统,其 中该气流产生装置系为一风扇。 16.如申请专利范围第14项所述之晶片散热系统,其 中该流体系为水。 17.一种散热装置制造方法,包含: 利用一制程方式产生具有一金属材料及一架状结 构之碳元素之一导热材料;以及 利用一冲模方式使该导热材料形成一散热装置且 该散热装置具有一壳体结构系具有至少两孔洞形 成于该壳体上,且至少一通道形成于该壳体内部系 用以连接该对应之两孔洞。 18.如申请专利范围第17项所述之散热装置制造方 法,其中更包含提供铜材质作为该金属材料。 19.如申请专利范围第17项所述之散热装置制造方 法,其中更包含提供银材质作为该金属材料。 20.如申请专利范围第17项所述之散热装置制造方 法,其中更包含提供铝材质作为该金属材料。 21.如申请专利范围第17项所述之散热装置制造方 法,其中更包含提供一具高导热系数之金属合金材 质作为该金属材料。 22.如申请专利范围第17项所述之散热装置制造方 法,其中更包含提供钻石作为该架状结构之碳元素 。 23.如申请专利范围第17项所述之散热装置制造方 法,其中更包含利用一化学气相沈积作为形成该导 热材料之该制程方式。 24.如申请专利范围第17项所述之散热装置制造方 法,其中更包含利用一物理气相沈积作为形成该导 热材料之该制程方式。 25.如申请专利范围第17项所述之散热装置制造方 法,其中更包含利用一熔融方式作为形成该导热材 料之该制程方式。 26.如申请专利范围第17项所述之散热装置制造方 法,其中更包含利用一金属射出成型方式作为该冲 模方式。 图式简单说明: 第一图系乃习知之一种气吹式晶片散热系统示意 图。 第二图系乃习知之一种水冷式晶片散热系统示意 图。 第三图系乃习知之一种散热装置结构分解示意图 。 第四图系乃依据本发明之一种晶片散热系统示意 图。 第五图系乃依据本发明之一种散热装置结构分解 示意图。 第六图系乃依据本发明之另一种散热装置结构分 解示意图。 第七图系乃依据本发明之一种晶片散热系统之散 热装置之制作方法示意图。 第八图系乃依据本发明之另一种晶片散热系统之 散热装置之制作方法示意图。 第九图系乃依据本发明之再一种晶片散热系统之 散热装置之制作方法示意图。 |
